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text1 stringlengths 216 10.1k	dataset_line stringlengths 368 10.3k	system_prompt stringclasses 40 values
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélectrique le refroidissement enrobé dans cette couche vitreuse, 5 - un élément semi-conducteur disposé sur le matériau diélectrique assurant l...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Conserve les références croisées: 'revendication 1' → 'claim 1'. Conserve les parenthèses et indices. Anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1°) Un dispositif semi-conducteur comprenant : - un support diélectrique, - une couche vitreuse disposée sur ce support. - un matériau diélec...	Conserve les références croisées: 'revendication 1' → 'claim 1'. Conserve les parenthèses et indices. Anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde la surface du support avec des ions, préalablement au traitement de cette surface par une solution de placage sans électricité» 5 2, Procédé selon la revendication 1, caracté...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Convertis fidèlement le français en anglais. Interdit: résumé, paraphrase, interprétation. Ne change pas les numéros, balises, ni retours à la ligne utiles. <USER> Translate FR->EN: revendications 2005553\n<CLM>\1\tProcédé pour le placage sans électricité d'un support, caractérisé en ce qu'on bombarde ...	Convertis fidèlement le français en anglais. Interdit: résumé, paraphrase, interprétation. Ne change pas les numéros, balises, ni retours à la ligne utiles.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones du type opposé ou deuxième type de conductibilité délimitant entre elles des jonctions p-n et fournissant respectivement les z...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction FR→EN: garde la même terminologie pour un même terme sur tout le texte. Aucun ajout. Aucune meta. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant un bloc d'un ma tériau semiconducteur ayant une zone d'un premier type de conductibilité placée entre deux zones ...	Traduction FR→EN: garde la même terminologie pour un même terme sur tout le texte. Aucun ajout. Aucune meta.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un revêtement 5 superficiel adhérent de phosphure métallique dont le métal est choisi dans les groupes IB, IIB, IVB, VB, VIB, VIIB, et VIII de la Clas...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduis en anglais en gardant les balises et séparateurs (ex: REVENDICATIONS, <CLM>, \n). N’écris rien d’autre que la traduction. <USER> Translate FR->EN: 69 12128 12 2006538 R_E_V_E_N_D_I_C_A_T_I_0_N_S 1°- Procédé d'application d'une composition de revêtement durcissable sur un substrat comportant un ...	Traduis en anglais en gardant les balises et séparateurs (ex: REVENDICATIONS, <CLM>, \n). N’écris rien d’autre que la traduction.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonction du type HT, est séparée électriquement du corps semiconducteur restant, et qui contient au moin» un élément 5 semiconducteur d'un micro-circuit...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduis en anglais en gardant les balises et séparateurs (ex: REVENDICATIONS, <CLM>, \n). N’écris rien d’autre que la traduction. <USER> Translate FR->EN: 13186 2007542 4 HEVEiroi CATIOÎIS 1°) Prooédé pour fabriquer une zone située sur la surfaoe d'un corps semiconducteur qui,, par une surface de jonct...	Traduis en anglais en gardant les balises et séparateurs (ex: REVENDICATIONS, <CLM>, \n). N’écris rien d’autre que la traduction.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circuits formés au voisinage d'une surface 5 d'un substrat et une couche isolante sur la surface comportant une série de trous mettant à d...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction brevet FR→EN: conserve la portée des formulations. Ne renforce ni n’affaiblis le sens. Aucun commentaire. <USER> Translate FR->EN: Revendications 1 - Dispositif de connexion électrique destiné à des dispositifs sémi-eonducteurs ou des circuits intégrés comportant une série d'éléments de circ...	Traduction brevet FR→EN: conserve la portée des formulations. Ne renforce ni n’affaiblis le sens. Aucun commentaire.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semiconducteur, caractérisé en ce que la couche métallique se compose d'un mélange de tungstène et d'un 5 métal modifié ayant une résistance à ...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Objectif: traduction FR→EN fidèle. Interdit: correction du texte source, invention, normalisation. Anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Dispositif semiconducteur comprenant une couche métallique assurant une connexion résistive à une partie de la surface du.dispositif semicon...	Objectif: traduction FR→EN fidèle. Interdit: correction du texte source, invention, normalisation. Anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1°/ Procédé pour graver , par attaque chimique et de fajon géométriquement limitée, une plaque semi-conductrice comportant une couche d'oxyde, du type dans lequel on enduit la plaque 5 semi-conductrice d'une laque photographique, on l^expose à la lumière à travers une plaque phot...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduis en anglais en gardant la casse (MAJ/min) des tokens importants. Conserve les abréviations. Sortie: traduction seule. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1°/ Procédé pour graver , par attaque chimique et de fajon géométriquement limitée, une plaque semi-conductrice comportant une couche d'ox...	Traduis en anglais en gardant la casse (MAJ/min) des tokens importants. Conserve les abréviations. Sortie: traduction seule.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de composants de circuit, des parties conductrices adhérant à la 5 surface du substrat et une partie isolante entourant ces parties conduct...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Si un terme technique est rare, garde une traduction standard de brevets. Sinon, reste littéral. Anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: 69 19976 13 2011079 RCTEKDIOAIIOIIB 1 - Dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semi-conducteur ayant un nombre nécessaire de co...	Si un terme technique est rare, garde une traduction standard de brevets. Sinon, reste littéral. Anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un produit intermédiaire pour circuits intégrés, suivant lequel on produit une couche de silicium polycristalline par dépôt de silicium sur ion support, ensem- 5 ble avec de minimes quantités d'impuretés qui influencent la structure cristalline ...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction fidèle sans paraphrase. Même longueur approximative si possible. Anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un produit intermédiaire pour circuits intégrés, suivant lequel on produit une couche de silicium polycristalline par dépôt de silic...	Traduction fidèle sans paraphrase. Même longueur approximative si possible. Anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métalliques sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'il 5 consiste à déposer à une vitesse suffisamment rapide une couche de métal d'épaisseu...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction littérale et complète. Interdit: omission, résumé, commentaires. Rends uniquement le texte en anglais. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour former une couche métallique sur un substrat par production de vapeurgfaétalliques et condensation desdites vapeurs métallique...	Traduction littérale et complète. Interdit: omission, résumé, commentaires. Rends uniquement le texte en anglais.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1-Dispositif semiconducteur dans lequel des contacts et/ou des couches métalliques conductrices sont mis en contact avec la surface du dispositif semiconducteur où sont formés sur un matériau Isolant disposé à la surface, caractérisé en ce que des contacts connectés ohmiquement à...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Conserve les références croisées: 'revendication 1' → 'claim 1'. Conserve les parenthèses et indices. Anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1-Dispositif semiconducteur dans lequel des contacts et/ou des couches métalliques conductrices sont mis en contact avec la surface du dispos...	Conserve les références croisées: 'revendication 1' → 'claim 1'. Conserve les parenthèses et indices. Anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOffS 1 - Dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il comprend une base ayant un type de matière semi-conductrice et une couche mince ayant un autre type de matière semi-conductrice, une 5 matière d'impureté, déterminant le type de semi-conductibilité de la c...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Tu es un traducteur neutre et exact. Ne change pas le sens, même si c’est maladroit. Sortie: traduction anglaise seule. <USER> Translate FR->EN: 69 19*77 6 2011945 HEYENDICATIOffS 1 - Dispositif à jonction P-N, caractérisé en ce qu'il comprend une base ayant un type de matière semi-conductrice et une c...	Tu es un traducteur neutre et exact. Ne change pas le sens, même si c’est maladroit. Sortie: traduction anglaise seule.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé pour revêtir une surface semiconductrice limitée caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes d'appliquer une substance de revêtement sur une partie de cette surface et de distribuer cette substance par une diffusion de surface. 2.- Procédé suivant la revendication 1...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction juridique/technique: conserve 'revendication(s)' → 'claim(s)'. Conserve 'Procédé' → 'Process/Method' selon contexte. Sortie: anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé pour revêtir une surface semiconductrice limitée caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes ...	Traduction juridique/technique: conserve 'revendication(s)' → 'claim(s)'. Conserve 'Procédé' → 'Process/Method' selon contexte. Sortie: anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseuses et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame pour obtenir la pres-5 sion de contact» est disposée à l'intérieur d'un godet, ouvert d'ua côté et scellée par surmo...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Ne change pas les numérotations (1.-, 2.-, etc.). Garde la mise en forme existante. Sors l’anglais. <USER> Translate FR->EN: 69 23588 * 2012968 HTiimcmon lo Redresseur à semiconducteurs dans lequel une pile de pastilles redresseuses et de tôles de contact munies de cosses» surmontée d'un ressort à lame...	Ne change pas les numérotations (1.-, 2.-, etc.). Garde la mise en forme existante. Sors l’anglais.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de décapage du nitrure de silicium caractérisé essentiellement en ce que: 5 - on met en contact le nitrure de silicium avec un hydrophosphate d'ammonium fondu - on maintient le nitrure de silicium en contact avec 1'hydrophosphate d'ammonium fondu suffisamment de temps...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduis en anglais sans ajouter de ponctuation manquante. Ne lisse pas le style. Réponse: traduction seule. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de décapage du nitrure de silicium caractérisé essentiellement en ce que: 5 - on met en contact le nitrure de silicium avec un hydrophosphate d...	Traduis en anglais sans ajouter de ponctuation manquante. Ne lisse pas le style. Réponse: traduction seule.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 24961 20147 27\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un tube d'enregistrement d'images, du type dans lequel l'élément d'enregistrement comprend un cristal semi-conducteur dont la masse est d'un premier type de conduc 5 tivité et dont une surface comprend un réseau d'îlots distincts de type de con...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Ne change pas les numérotations (1.-, 2.-, etc.). Garde la mise en forme existante. Sors l’anglais. <USER> Translate FR->EN: 69 24961 20147 27\n<CLM>\1\tProcédé pour fabriquer un tube d'enregistrement d'images, du type dans lequel l'élément d'enregistrement comprend un cristal semi-conducteur dont la m...	Ne change pas les numérotations (1.-, 2.-, etc.). Garde la mise en forme existante. Sors l’anglais.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS. 1.- Dispositif à semi-conducteur comprenant une plaquette de semi-conducteur et une couche conductrice formant avec la plaquette un contact à couche diarrét de Schottky, caractérisé en ce que la couche comprend au moins deux métaux différents dans des proportions choisies en sor...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction juridique/technique: conserve 'revendication(s)' → 'claim(s)'. Conserve 'Procédé' → 'Process/Method' selon contexte. Sortie: anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS. 1.- Dispositif à semi-conducteur comprenant une plaquette de semi-conducteur et une couche conductrice for...	Traduction juridique/technique: conserve 'revendication(s)' → 'claim(s)'. Conserve 'Procédé' → 'Process/Method' selon contexte. Sortie: anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en particulier dans les couplages courts équipés de soupapes à 5 semi-conducteurs pour transmission de l'énergie en courant continu à haute te...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Objectif: traduction FR→EN fidèle. Interdit: correction du texte source, invention, normalisation. Anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: 69 27002 2015355 REVEND ICA ï I Q S S lo Procédé pour l'inversion du sens d'écoulement de l'énergie dans les couplages de réseaux triphasés asynchrones, en par...	Objectif: traduction FR→EN fidèle. Interdit: correction du texte source, invention, normalisation. Anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication de circuits imprimés comprenant des bandes conductrices à plusieurs couches isolées les unes des autres par des couches de verre, caractérisé en ce que, afin d'empêcher que les conducteurs de cuivre, ne 5 soient décapés ou ne soient dissous dans le verr...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Ne corrige pas les fautes du texte source. Traduis tel quel. Réponds uniquement par l’anglais. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication de circuits imprimés comprenant des bandes conductrices à plusieurs couches isolées les unes des autres par des couches de verre, caractérisé...	Ne corrige pas les fautes du texte source. Traduis tel quel. Réponds uniquement par l’anglais.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: ch 28918 -9- 7016299 ë_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Dispositif résonant comprenait un bloc solide limité par des faces parallèles planes et sur lequel est placé au moins un élément électronique et un résonateur piézoélectrique composé 5 d'une couche d'un matériau piézoélectrique placée entre deux ...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Tu es un moteur de traduction FR→EN. Sors uniquement la traduction anglaise, sans préambule, sans meta, sans raisonnement. <USER> Translate FR->EN: ch 28918 -9- 7016299 ë_5„ï_5_iL2_ï_2_è_ï I 0 1-- Dispositif résonant comprenait un bloc solide limité par des faces parallèles planes et sur lequel est pla...	Tu es un moteur de traduction FR→EN. Sors uniquement la traduction anglaise, sans préambule, sans meta, sans raisonnement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour réduire la résistance de contact entre deux couches conductrices, superposées, d'un micro-circu.it électronique à plusieurs couches, caractérisé en ce que l'on 5 transmet aux deux couches conductrices, de l'énergie électrique.\n<CLM>\1\t- Procédé suivant ...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction technique en anglais, conservatrice. Garde la structure des phrases, listes et revendications. Aucune meta. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour réduire la résistance de contact entre deux couches conductrices, superposées, d'un micro-circu.it électronique à plusi...	Traduction technique en anglais, conservatrice. Garde la structure des phrases, listes et revendications. Aucune meta.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositff soni-conductcur caractérisé on oe qu'il oonsiste : - A foraor une région électriquoraont active dans une plaquotto de matériau soni-conductour nionosriatr._lin ayant une épaisseur supérieure à environ cinqu...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction en anglais, style brevet. Conserve les termes techniques et la précision juridique. Interdit: meta, raisonnement, ajout d’informations. <USER> Translate FR->EN: 69 23503 s 2016792 BEVEHDICATIOITS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositff soni-conductcur caractérisé on oe qu'il oo...	Traduction en anglais, style brevet. Conserve les termes techniques et la précision juridique. Interdit: meta, raisonnement, ajout d’informations.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS.\n<CLM>\1\tDispositif à effet de Hall, intégré, dans lequel une partie d'un corps semi—conducteur remplit la fonction d elément de Hall, alors que dans la partie restante de ce corps serai-conducteur est 5 intégré un circuit auxiliaire associé à l'élément de Hall, ce dispositif é...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction en anglais, style brevet. Conserve les termes techniques et la précision juridique. Interdit: meta, raisonnement, ajout d’informations. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS.\n<CLM>\1\tDispositif à effet de Hall, intégré, dans lequel une partie d'un corps semi—conducteur remplit la fonctio...	Traduction en anglais, style brevet. Conserve les termes techniques et la précision juridique. Interdit: meta, raisonnement, ajout d’informations.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATONS I Un procédé pour la fabrication d'un revêtement imperméable à l'humidité sur un composant électronique, caractérisé en ce qubn plonge sous vide-, dans de la paraffine ou de la cire fondue, le composant éleetroni-que miuli de raccords électriques. 2 - Un recédé selon la revendicat...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Ne change pas les numérotations (1.-, 2.-, etc.). Garde la mise en forme existante. Sors l’anglais. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATONS I Un procédé pour la fabrication d'un revêtement imperméable à l'humidité sur un composant électronique, caractérisé en ce qubn plonge sous vide-, dans de la paraff...	Ne change pas les numérotations (1.-, 2.-, etc.). Garde la mise en forme existante. Sors l’anglais.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé pour le traitement d'un élément à semi-con-ducteur constitué par plusieurs couches ayant des conductivirés de types alternés , dans lequel l'une des couches située sous la couche cathode traverse cette dernière jusqu'à sa sur-face ext4 -5 rieure par des pcats ponctuel...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction fiable et cohérente sur toute la séquence. Garde la même terminologie d’une revendication à l’autre. Aucun commentaire. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé pour le traitement d'un élément à semi-con-ducteur constitué par plusieurs couches ayant des conductivirés de types alte...	Traduction fiable et cohérente sur toute la séquence. Garde la même terminologie d’une revendication à l’autre. Aucun commentaire.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de matériau semiconducteur disposé dans une isolation annulaire électrique, et prévu pour être refroidi de chaque côté au moyen d'électrodes métalliques fixées respect...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Tu traduis mot-à-mot quand c’est nécessaire pour rester fidèle. Interdit: embellissement, simplification, explications. Sortie: anglais seulement. <USER> Translate FR->EN: 30828 n 2017808 E_E_V_EJ2_D_I_C_A_T_I_OJ[ 3\n<CLM>\1\tDispositif semiconducteur du type à garniture plate, comportant un disque de ...	Tu traduis mot-à-mot quand c’est nécessaire pour rester fidèle. Interdit: embellissement, simplification, explications. Sortie: anglais seulement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAgencement Üe protection pour une génératrice à courant alternatif sans balais ayant un enroulement polyphasé 'excitatriceS un enroulement principal cie champ et une diode pour chaque phase de l'enroulement polyphasé, caractérisé en ce qu'il comprend une résis- tance po...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Tu produis la traduction en anglais avec cohérence terminologique globale. Interdit: meta, raisonnement. Zéro texte hors traduction. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tAgencement Üe protection pour une génératrice à courant alternatif sans balais ayant un enroulement polyphasé 'excitatri...	Tu produis la traduction en anglais avec cohérence terminologique globale. Interdit: meta, raisonnement. Zéro texte hors traduction.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 29910 14 2019397 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tBoutons de soudure convenant pour fixer une galette de semi-conducteur à des conducteurs électriques, chaque bouton de soudure étant placé sur une portion correspondante d'une couche métallique de contact fixée à la galette de matière semi- 5 con...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduis en anglais sans ajouter de ponctuation manquante. Ne lisse pas le style. Réponse: traduction seule. <USER> Translate FR->EN: 69 29910 14 2019397 - REVENDICATIONS -\n<CLM>\1\tBoutons de soudure convenant pour fixer une galette de semi-conducteur à des conducteurs électriques, chaque bouton de so...	Traduis en anglais sans ajouter de ponctuation manquante. Ne lisse pas le style. Réponse: traduction seule.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Canal de répartition pour l'air de soufflage des installations à air, plus particulièrement des fours de cuisson ou de séchage et qui est muni d'une ouverture d'expulsion allongée qui est équipée d'aubes de déviation disposées transversalement aux parois longitudinale...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction littérale et complète. Interdit: omission, résumé, commentaires. Rends uniquement le texte en anglais. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\t- Canal de répartition pour l'air de soufflage des installations à air, plus particulièrement des fours de cuisson ou de séchage et qui est...	Traduction littérale et complète. Interdit: omission, résumé, commentaires. Rends uniquement le texte en anglais.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement, lors de la formation d'un évidement attaqué sur une surface d'un support 5 semiconducteur au travers d'une fenêtre triangulaire ou hexagonale ménagée dans un mas...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction juridique/technique: conserve 'revendication(s)' → 'claim(s)'. Conserve 'Procédé' → 'Process/Method' selon contexte. Sortie: anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé pour la fabrication d'un dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il consiste essen...	Traduction juridique/technique: conserve 'revendication(s)' → 'claim(s)'. Conserve 'Procédé' → 'Process/Method' selon contexte. Sortie: anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour fabriquer un composant à semiconducteurs, comportant une pastille de silicium, sur une face plane de laquelle se trouvent au moins deux zones de types de 5 conductivité différente, et un support métallique, notamment en tungstène ou...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Réponds uniquement par la traduction anglaise finale. Pas de préambule, pas de titre, pas de disclaimer. Exactitude maximale. <USER> Translate FR->EN: 69 35218 d 202O9OÎ REVEND I C AT IONS\n<CLM>\1\t- Procédé pour fabriquer un composant à semiconducteurs, comportant une pastille de silicium, sur une fa...	Réponds uniquement par la traduction anglaise finale. Pas de préambule, pas de titre, pas de disclaimer. Exactitude maximale.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 69 35707 5 2021025 REVEND ICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type comprenant un corps de matière semi-conductrice comportant une zone de contact recouverte d'une couche d'aluminium et une autre zone de contact non recouverte d'une couche d'aluminium, le...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduis en anglais en gardant les balises et séparateurs (ex: REVENDICATIONS, <CLM>, \n). N’écris rien d’autre que la traduction. <USER> Translate FR->EN: 69 35707 5 2021025 REVEND ICATIONS\n<CLM>\1\tProcédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type comprenant un corps de matière semi-cond...	Traduis en anglais en gardant les balises et séparateurs (ex: REVENDICATIONS, <CLM>, \n). N’écris rien d’autre que la traduction.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra" comprenant : a) un substrat semi-conducteur à faible résistivité d'un 5 premier type de conductivité b) une couche épitaxiale semi-conductrice de résistivité formée sur ledit substrat et de type de conductivité c à celui dudit s...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction uniquement. Interdit: 'Here is the translation', 'Sure', ou toute formule. Sors l’anglais directement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Diode à avalanche par impact et à temps de tra" comprenant : a) un substrat semi-conducteur à faible résistivité d'un 5 premier type de conductiv...	Traduction uniquement. Interdit: 'Here is the translation', 'Sure', ou toute formule. Sors l’anglais directement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif à couche d'arrêt comportant un substrat semiconducteur avec une surface, plane et une barrière redresseuse co-planaire réalisée dans ledit substrat au-dessous de la surface 5 plarie, ce dispositif étant caractérisé par une région isolante formée dans le subst...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction exacte en anglais. Conserve l’ordre des éléments (listes, points, revendications). Pas de meta. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tDispositif à couche d'arrêt comportant un substrat semiconducteur avec une surface, plane et une barrière redresseuse co-planaire réalisée dans le...	Traduction exacte en anglais. Conserve l’ordre des éléments (listes, points, revendications). Pas de meta.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant au moins deux substrats semiconducteurs dont chacun contient au mo-ins-un élément de circuit discret et/ou un circuit intégré, caractérisé en ce que dans chaque substrat semiconducteur au moins une région semiconductrice ou métallisée d'au...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Produit une traduction en anglais de niveau professionnel (brevets). Style neutre, précis. Sortie: anglais brut. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur comprenant au moins deux substrats semiconducteurs dont chacun contient au mo-ins-un élément de circuit discret et/ou un...	Produit une traduction en anglais de niveau professionnel (brevets). Style neutre, précis. Sortie: anglais brut.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur présentant une région où on exerce une pression et une aiguille, pour exercer une pression sur ladite région du corps semi-conducteur, fixée sur cette région par ...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Si une phrase est ambiguë, choisis la traduction la plus littérale. N’invente rien. Anglais uniquement. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS\n<CLM>\1\tTransducteur électro-mécanique à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un corps semi-conducteur présentant une région où on exerce une pr...	Si une phrase est ambiguë, choisis la traduction la plus littérale. N’invente rien. Anglais uniquement.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: 41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procédé d'établissement d'un trajet résistif à l'intérieur d'un corps semiconducteur dans un circuit intégré monolithique, comportant l'opération de diffusion d'une zone de résistance dans le corps, la dite zone de résistance étant du type opposé à celui du cor...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Ne change pas les numérotations (1.-, 2.-, etc.). Garde la mise en forme existante. Sors l’anglais. <USER> Translate FR->EN: 41675 2025396 HEVENDICATTONS 1°/- Procédé d'établissement d'un trajet résistif à l'intérieur d'un corps semiconducteur dans un circuit intégré monolithique, comportant l'opératio...	Ne change pas les numérotations (1.-, 2.-, etc.). Garde la mise en forme existante. Sors l’anglais.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Diode à semi-conducteur servant de capacité variable en fonction de 3a tension, à structure p n n ou n p p, dans laquelle la concentration du dopape déterminant le type de conduc- • * "T 5 tivitê de la zone moyenne n ou p , décroît, au moins dans une partie de cette zone, sui...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Traduction littérale et complète. Interdit: omission, résumé, commentaires. Rends uniquement le texte en anglais. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1.- Diode à semi-conducteur servant de capacité variable en fonction de 3a tension, à structure p n n ou n p p, dans laquelle la concentration du dop...	Traduction littérale et complète. Interdit: omission, résumé, commentaires. Rends uniquement le texte en anglais.
<\|BOS\|>Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs en germanium, caractérisé en ce qu'il consiste à former sur un substrat de germanium un film de bioxyde de silicium pour recouvrir 5 une ou plusieurs surfaces afin de devenir xme ou plusieurs surfaces mésa, et à attaquer ...	<\|BOS\|> <SYSTEM> Produit une traduction en anglais de niveau professionnel (brevets). Style neutre, précis. Sortie: anglais brut. <USER> Translate FR->EN: REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs en germanium, caractérisé en ce qu'il consiste à former sur un substrat de germanium un fil...	Produit une traduction en anglais de niveau professionnel (brevets). Style neutre, précis. Sortie: anglais brut.